真空電鍍?cè)O(shè)備的真空室能用不銹鋼或者碳鋼組合使用制作，真空電鍍?cè)O(shè)備做成單開門或者又開門。真空電鍍?cè)O(shè)備能通過利用電阻加熱，若電阻要加熱，真空電鍍?cè)O(shè)備所使用的材料包括石墨、鎢、鉭、鉬、鎳鉻等，真空電鍍?cè)O(shè)備加熱后要進(jìn)行保溫，真空電鍍?cè)O(shè)備設(shè)置了保溫層就可以提高加熱的效率，以免真空電鍍?cè)O(shè)備的熱量快速散失，一般有金屬保溫層和復(fù)合保溫層兩種形式。

   真空電鍍?cè)O(shè)備為更好的進(jìn)行測(cè)試、測(cè)定室內(nèi)溫度，真空電鍍?cè)O(shè)備使用測(cè)溫儀器和控溫儀器，避免溫度過高或不達(dá)標(biāo)真空電鍍?cè)O(shè)備，抽氣系統(tǒng)由各種真空泵及附件按其各自功能組裝使用。PVD真空鍍膜：一般TiN,CrN，TiC，ZrN，電鍍出來的厚度大概是3~5微米。一般情況真空鍍膜的厚度是在設(shè)備上測(cè)試不出來了。

    光學(xué)鍍膜的膜厚測(cè)試可以在鍍膜機(jī)的中間頂上裝置膜厚測(cè)試儀即可。早的是光控測(cè)試，現(xiàn)在一般用晶控(晶振片)使用的是晶振片震動(dòng)的頻率來測(cè)試鍍膜的厚度。不同膜層的厚度不同。PVD真空鍍膜設(shè)備主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

    需要鍍膜的被成為基片，鍍的材料被成為靶材。基片與靶材同在真空腔中。蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點(diǎn)－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。對(duì)于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過蒸發(fā)鍍膜設(shè)備+所鍍產(chǎn)品圖蒸發(fā)鍍膜設(shè)備+所鍍產(chǎn)品圖程，終形成薄膜。

    PVD真空鍍的工藝流程一般依次為：前處理及化學(xué)清洗（表面打磨拋光噴砂，除銹除油去氧化層）→工件在真空中烘烤加熱→氬離子輝光清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應(yīng)氣體）→后處理（爐內(nèi)鈍化或出爐后鈍化去應(yīng)力或防止變色，過UV做防指膜處理等）。